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BSF077N06NT3 G /Infineon Technologies/分立半导体产品
BSF077N06NT3 G的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:5,000

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 单

系列:OptiMOS??

包装:带卷(TR)

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能:逻辑电平门

漏源极电压(Vdss):60V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):13A(Ta),56A(Tc)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):7.7 毫欧 @ 30A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 33µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):46nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):3700pF @ 30V

功率 - 最大值:38W

安装类型:表面贴装

封装/外壳:3-WDSON

供应商器件封装:MG-WDSON-2,CanPAK M?

其它名称:BSF077N06NT3 G-NDBSF077N06NT3GXUMA1SP000605968

供应商BSF077N06NT3 G
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